24C02购电卡
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•中压、标压操作 - 5.0 (VCC = 4.5V至5.5V) - 2.7 (VCC = 2.7 v至5.5V) •内部组织128 × 8 (1K)， 256 × 8 (2K)， 512 × 8 (4K)， 1024 × 8 (8K)或2048 × 8 (16K)
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通用场景
•中压、标压操作
- 5.0 (VCC = 4.5V至5.5V)
- 2.7 (VCC = 2.7 v至5.5V)
•内部组织128 × 8 (1K)， 256 × 8 (2K)， 512 × 8 (4K)，
1024 × 8 (8K)或2048 × 8 (16K)
•2线串行接口
•施密特触发器，过滤输入噪声抑制
•双向数据传输协议
•100 kHz (2.7V)和400 kHz (5V)兼容性
•硬件数据保护的写保护引脚
•8字节页(1K, 2K)， 16字节页(4K, 8K, 16K)写模式
允许部分页写
•自定时写周期(最大10毫秒)
•高可靠性的
—耐久性:100万次写循环
—数据保留:100年
•8引脚PDIP和8引脚JEDEC SOIC封装
AT24C01A/02/04/08/16提供1024/2048/4096/8192/16384位串行电可擦和可编程只读存储器(EEPROM)组织为128/256/512/1024/2048字，每字8位。该设备经过优化，适合在许多地方使用低功耗和低电压操作必不可少的汽车应用。
AT24C01A/02/04/08/16提供节省空间的8引脚PDIP和8引脚JEDEC SOIC封装，并通过2线串行接口访问。此外，整个系列提供5.0V (4.5V至5.5V)和2.7V (2.7V至5.5V)版本。
AT24C01A, 1K串行EEPROM:内部组织16页，每页8字节，1K需要一个7位的数据字地址来进行随机字寻址。at24co2, 2K串行EEPROM:内部组织32页，每页8字节，2K需要一个8位的数据字地址进行随机字寻址。
AT24C04, 4K串行EEPROM:内部组织32页，每个16字节，4K需要一个9位的数据字地址进行随机字寻址。
AT24C08, 8K串行EEPROM:内部组织64页，每个16字节，8K需要一个10位的数据字地址来进行随机字寻址。
AT24C16, 16K串行EEPROM:内部组织有128页16字节每个16K需要一个11位的数据字地址来进行随机字寻址
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